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文档摘要

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结;8.结大注入效应，大注入和小注入时的电流电压特性的比较。（扩散系数增大一倍）

9.比较结自建电场，缓变基区自建电场和大注入自建电场的异同点。

10.势垒电容与扩散电容的产生机制。

11.三种结击穿机构。雪崩击穿的条件？讨论影响雪崩击穿电压的因素。

12.结的交流等效电路？

13.结的开关特性，贮存时间的影响因素。

14.肖特基势垒二极管与结二极管的异同。;双极晶体管;6.晶体管共基极和共射极电流放大系数之间的关系。

7.晶体管共基极和共射极输入、输出特性和转移特性曲线

8.大电流效应及对器件特性的影响

大注入效应？效应(基区电导调制效应)和(韦伯斯脱)效应（大注入内建电场效应）。

基区扩展效应(效应)。

发射极电流集边效应。;9.什么是效应对器件特性有什么影响？

10.基区穿通和外延层穿通。

11.三种击穿电压的关系。

12.写出载流子从发射极到集电极的总传输延迟时间的表达式，并说明各传输延迟时间的意义，如何提高晶体管的特征频率？

13.f?,f?,的定义，及相互间的大小关系？

晶体管在开关过程中，结和结偏压是如何变化的。

的优势

;场效应晶体管;7.小信号等效电路。管截止频率表达式，提高频率性能的途径。

8.器件等比例缩小原则。

9.结构的C－V特性（理想、实际）。

10.热载流子效应和闩锁效应。

11.现代器件的发展趋势。;谢谢大家！