沟槽结构4H-SiC肖特基二极管电学特性的多维度解析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今电力电子技术快速发展的时代，对高性能功率器件的需求日益增长。传统的硅基功率器件由于其材料本身的物理限制，在面对高温、高压、高频等极端工作环境时，性能表现逐渐难以满足不断提升的应用要求。例如，在新能源汽车的快速充电系统中，硅基器件的高导通损耗和低开关频率导致充电效率低下，且发热严重，影响了系统的可靠性和使用寿命。在智能电网的高压输电和配电环节，硅基器件的耐压能力不足，无法有效实现高效的电能转换和分配。

碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，凭借其独特的物理性质，如禁带宽度大（约为硅的3