CsPbI???Br?薄膜的制备工艺与光电性能的深度剖析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今能源与光电器件领域，寻找高效、稳定且低成本的材料一直是科研工作者不懈追求的目标。CsPbI???Br?薄膜作为一种新型的光电材料，凭借其独特的晶体结构和卓越的光电性能，如高的光吸收系数、长的载流子扩散长度以及可调节的带隙等，在太阳能电池、发光二极管、光电探测器等众多光电器件中展现出巨大的应用潜力。

以太阳能电池为例，传统的硅基太阳能电池虽然技术成熟，但成本较高且制备工艺复杂。而基于CsPbI???Br?薄膜的钙钛矿太阳能电池，其理论光电转换效率可达33%以上，接近传统硅基太阳能电池