AlGaN/GaN异质结场效应晶体管载流子迁移率与器件特性参数的关联性探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子器件领域，随着通信、雷达、电力电子等技术的飞速发展，对高性能电子器件的需求日益增长。AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（AlGaN/GaNHFETs）作为第三代半导体器件的杰出代表，凭借其独特的物理性质，在众多领域展现出巨大的应用潜力，成为了研究的焦点。

GaN材料具有宽禁带宽度（约3.4eV）、高临界击穿电场（约3.3×10^6V/cm）、高电子饱和漂移速度（约2.5×10^7cm/s）和高热导率（约1.3W/cm?K）等优异特性。这些特性使得基于