基本信息

---

下载

文档摘要

---

探秘缺陷：解锁宽禁带半导体及相关材料物性的关键密码

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，宽禁带半导体凭借其独特的物理性质，逐渐成为推动现代电子技术进步的关键材料。宽禁带半导体，通常是指禁带宽度大于2.2电子伏特（eV）的半导体材料，如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga_2O_3）、氮化铝（AlN）等。与传统的硅基半导体相比，宽禁带半导体具有高击穿电场强度、高电子饱和速度、低漏电流、抗辐射能力强以及化学稳定性好等一系列优异特性。这些特性使得宽禁带半导体在高温、高压、高频以及大功率等应用场景中展现出巨大的优势，成为了新能源汽车、5G通信、智能电网、航空