基本信息
文件名称:锗基外延InAs_GaAs量子点激光器光学噪声特性的深度剖析与优化策略.docx
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总页数:22 页
更新时间:2025-10-24
总字数:约2.09万字
文档摘要
锗基外延InAs/GaAs量子点激光器光学噪声特性的深度剖析与优化策略
一、引言
1.1研究背景与意义
随着信息技术的飞速发展,光通信、光计算等领域对高性能光源的需求日益迫切。量子点激光器作为一种新型的半导体激光器,因其独特的量子限制效应和能级特性,展现出诸多优异的性能,如低阈值电流、高增益、波长可调谐以及良好的温度稳定性等,在光通信、光计算、生物医学成像、激光雷达等众多领域具有广泛的应用前景。
在光通信领域,随着数据流量的爆发式增长,对光通信系统的传输速率、容量和稳定性提出了更高的要求。量子点激光器的窄线宽、高调制速率和良好的温度稳定性等特性,使其成为高速、长距离光通信系统的理想光源。