增强型AlGaN/GaNMIS-HEMT功率开关器件特性及优化策略探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，半导体技术作为信息技术的核心，在推动电子设备小型化、高效化和智能化的进程中发挥着关键作用。从第一代以硅（Si）为代表的半导体材料，到第二代以砷化镓（GaAs）为代表的化合物半导体材料，再到如今的第三代半导体材料，每一次的材料革新都引领了电子技术的重大突破。第三代半导体材料，如氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等，凭借其独特的物理性质，在高功率、高频、高温以及抗辐射等应用领域展现出了巨大的潜力，成为了全球半导体领域研究的热点。

GaN材料作为第三代半导体材料的杰出