化学工艺过程*第1页，共23页，星期日，2025年，2月5日本节主要内容一、常用基本化学方程式二、电池片生产工艺中的主要化学方程式三、半导体安全基本知识*第2页，共23页，星期日，2025年，2月5日电池片生产工艺中的主要化学方程式存在于下列工序：1一次清洗工艺1.1去除硅片损伤层1.2制绒面1.3HF酸去除SiO2层1.4HCl酸去除金属离子2扩散过程中磷硅玻璃的形成3等离子刻蚀工艺4二次清洗工艺5PECVD工艺*第3页，共23页，星期日，2025年，2月5日常用基本化学方程式化学反应过程是参加反应各物质(反应物)的原子重新组合生成新物质(生成物)的过程，化学方程式是化学反应简明的表达形式。它从“质”和“量”两个方面表达了化学反应的意义。(1)“质”的含义?:表示什么物质参加了反应，生成了什么物质以及反应是在什么条件下进行的。(2)“量”的含义?:从宏观看，表示了各反应物、生成物间的质量比。如果反应物都是气体，还能表示它们在反应时的体积比。从微观看，如果各反应物、生成物都是由分子构成的，那么化学方程式还表示各反应物、生成物间的分子个数比。*第4页，共23页，星期日，2025年，2月5日举例：例如，化学方程式：2H2+O2=2H2O43236“质”的含义：经点燃，氢气跟氧气反应生成水。“量”的含义：从宏观看，每4份质量的氢气跟32份质量的氧气反应生成36份质量的水，即氢气跟氧气反应时的质量比为1:8，从微观看，氢气、氧气和水都是由分子构成的，因此，这个化学方程式还表示了每2个氢分子跟1个氧分子反应生成了2个水分子。*第5页，共23页，星期日，2025年，2月5日常用基本化学方程式化学方程式遵守质量守恒定律，主要包括以下三方面：化学反应前后各元素的原子个数守恒。化学反应前后各元素的质量守恒。化学反应前后各物质质量总和守恒*第6页，共23页，星期日，2025年，2月5日书写化学方程式的三个步骤：（1）依据实验事实，把反应物的化学式写在左边，生成物的化学式写在右边，反应物与生成物之间用一条短线相连。（2）根据质量守恒定律，在反应物、生成物的化学式前配上适当的系数，使式子左、右两边的每一种元素的原子总数相等，这个过程叫做化学方程式的配平。（3）要在化学方程式中注明反应发生的基本条件，用“↓”表示生成物中的沉淀，用“↑”表示生成物中的气体。*第7页，共23页，星期日，2025年，2月5日一次清洗工艺去除硅片损伤层：Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑28801224计算：对125*125的单晶硅片来说，假设硅片表面每边去除10um，两边共去除20um，则每片去除的硅的重量为：△g=12.5*12.5*0.002*2.33=0.728g。（硅的密度为2.33g/cm3）设每片消耗的NaOH为X克，生成的硅酸钠和氢气分别为Y和Z克，根据化学方程式有：28：80=0.728：ＸＸ=2.08g28：122=0.728：YY=3.172g28：4=0.728：ZZ=0.104g*第8页，共23页，星期日，2025年，2月5日一次清洗工艺制绒面：Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑28801224由于在制绒面的过程中，产生氢气得很容易附着在硅片表面，从而造成绒面的不连续性，所以要在溶液中加入异丙醇作为消泡剂以助氢气释放。另外在绒面制备开始阶段，为了防止硅片腐蚀太快，有可能引起点腐蚀，容易形成抛光腐蚀，所以要在开始阶段加