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文件名称:内嵌扰流式微通道TSV转接板:工艺剖析与特性洞察.docx
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总页数:17 页
更新时间:2025-10-25
总字数:约2.01万字
文档摘要
内嵌扰流式微通道TSV转接板:工艺剖析与特性洞察
一、引言
1.1研究背景与意义
随着信息技术的飞速发展,电子设备正朝着小型化、高性能化和多功能化的方向迈进。在这一发展趋势下,集成电路的集成度不断提升,芯片之间的互联需求也日益增长。传统的二维互联技术已难以满足日益增长的高性能需求,基于硅通孔(ThroughSiliconVia,TSV)技术的转接板应运而生,成为实现三维集成的关键技术之一。TSV转接板能够在硅基板上实现垂直方向的电气连接,极大地缩短了信号传输路径,提高了信号传输速度,降低了信号延迟和功耗,同时实现了芯片之间的高密度互联,有效提升了电子设备的性能和集成度。
然而,随着芯片