Ta-Sb-Te相变材料：特性、制备及高速高稳定性相变机理探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，数据量正以惊人的速度增长。从互联网的广泛普及到物联网设备的大量涌现，从科学研究的海量数据采集到人工智能领域对大规模数据集的依赖，数据已成为推动社会发展和科技创新的核心要素。据统计，全球数据量预计在未来几年内将达到ZB级别，如此庞大的数据规模对存储技术提出了前所未有的挑战。传统的存储技术，如动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（Flash），在面对数据增长的浪潮时，逐渐显露出其局限性。DRAM虽然具有高速读写的优势，但其易失性使得在断电后数据丢失，需要持续供电来维持数