基本信息
文件名称:TSV-Less FOWLP技术中翘曲与传输延时特性的深度剖析与优化策略.docx
文件大小:27.75 KB
总页数:16 页
更新时间:2025-10-25
总字数:约1.96万字
文档摘要
TSV-LessFOWLP技术中翘曲与传输延时特性的深度剖析与优化策略
一、引言
1.1研究背景与意义
在半导体产业持续发展的进程中,集成电路的性能提升与小型化需求始终是推动技术进步的核心动力。随着摩尔定律逐渐逼近物理极限,传统的封装技术在应对日益增长的高性能、小尺寸要求时,面临着诸多挑战。在此背景下,扇出型晶圆级封装(Fan-OutWaferLevelPackaging,FOWLP)技术应运而生,凭借其在减小封装尺寸、提高引脚数量、增强电性能等方面的显著优势,成为了半导体封装领域的研究热点与发展趋势。
FOWLP技术能够在晶圆表面将芯片直接连接到封装基板,通过多层再布线(RDL)