基本信息

---

下载

文档摘要

---

氮掺杂对铁钴基薄膜结构与磁性调控的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着电子信息技术的飞速发展，各类电子设备不断朝着小型化、轻量化、高性能化的方向迈进。在这一进程中，磁性薄膜作为电子器件中的关键组成部分，其性能直接影响着电子设备的整体性能与应用范围。例如，在高密度磁存储领域，需要磁性薄膜具备高饱和磁化强度、低矫顽力以及良好的热稳定性，以实现数据的快速读写与长期可靠存储；在高频通信领域，要求磁性薄膜具有优异的高频动态特性，以满足信号高效传输与处理的需求。因此，开发具有高性能的磁性薄膜材料成为了当前材料科学领域的研究热点之一。

FeCo合金由于其具有目前已知材料中最高的饱和磁化强度，