非晶ZnTiSnO薄膜的制备工艺与薄膜晶体管性能关联性研究

一、引言

1.1研究背景

在现代电子技术飞速发展的进程中，薄膜晶体管（ThinFilmTransistor，TFT）作为构建各类电子器件的关键基础元件，其性能优劣对整个电子系统的表现起着决定性作用。薄膜晶体管是一种以沉积形成的半导体、金属和绝缘体薄膜组成的场效应器件，凭借其能够实现对电流的精确控制、具备良好的稳定性和可靠性，以及可在大面积基板上制备等优势，被广泛应用于显示领域中的液晶显示器、有机发光二极管等，传感领域中的生物传感器、气敏传感器等，以及探测领域中的量子点薄膜晶体管探测器等。

随着科技的进步，人们对电子器件的性能提