基于第一性原理的Ge?Sb?Te?结构、光学与分子动力学特性研究

一、绪论

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，信息存储技术作为现代信息技术的核心组成部分，正面临着前所未有的挑战与机遇。随着大数据、人工智能、物联网等新兴技术的广泛应用，数据量呈爆炸式增长，对信息存储的容量、速度、稳定性和能耗等方面提出了更高的要求。传统的存储技术，如硬盘、闪存等，逐渐难以满足这些日益增长的需求，亟需开发新型高性能的存储技术。

相变存储器（PCRAM）作为一种极具潜力的新型非易失性存储器，因其具备存储单元尺寸小、非挥发性、循环寿命长、稳定性好、功耗低和可嵌入功能强等诸多优点，成为了学术界和产业界的研