20kV/30HzGaAs光电导开关的制备工艺与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，光电器件在众多领域中发挥着愈发关键的作用，其中，GaAs光电导开关凭借其独特的性能优势，成为科研人员广泛关注的焦点。它基于半导体材料的光电效应制成，通过光脉冲的照射来控制其导通和关断，从而实现对电信号的有效调制。在太赫兹源、高速通信、高功率脉冲技术等前沿领域，GaAs光电导开关都展现出了巨大的应用潜力。

在太赫兹领域，太赫兹波（THz）频率范围处于0.1-10THz，介于微波与红外光之间，具有许多优异特性，如穿透性强，能够无损穿透较厚的非金属材料，像塑料、纸张、