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文件名称：2025《碳化硅MOSFET模型与直接串联电路概述》2000字.docx
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总页数：7 页
更新时间：2025-10-26
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文档摘要
碳化硅MOSFET模型与直接串联电路概述
目录
TOC\o1-3\h\u8252碳化硅MOSFET模型与直接串联电路概述 1
38651.1碳化硅MOSFET模型 1
290551.2碳化硅MOSFET直接串联电路 7
串联碳化硅MOSFET电路存在着稳态时各管子分压不均的问题，严重时甚至会发生击穿现象，引起火灾。研究串联碳化硅MOSFET的关键是研究碳化硅MOSFET关断过程情况，了解清楚其关断暂态过程对解决这一难题有着极其重要的意义，为此本文先建立碳化硅MOSFET等效理论模型，其次配上与之对应的串联测试电路。
1.1碳化硅MOSFET模型
首先介绍一下碳化硅M