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文件名称:《GB_T 6616-2023半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法》专题研究报告.pptx
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总页数:38 页
更新时间:2025-10-28
总字数:约小于1千字
文档摘要
;目录;;;;标准的核心价值:对半导体产业链上下游有哪些具体指导意义?;;非接触涡流法的基本电磁场作用原理:交变磁场如何在半导体中产生涡流?;;核心参数与测试精度的关联机制:激励频率、探头间距如何影响测试结果准确性?;;样品准备要求:晶片尺寸、表面状态需满足哪些条件才能符合测试标准?;;数据处理与结果判定:如何依据标准计算电阻率?异常数据该如何处理?;;非接触涡流法在薄膜检测中的独特优势:为何能适配超薄、柔性半导体薄膜测试?;薄膜薄层电阻测试的特殊要求:膜厚均匀性、基底材料对测试结果有何影响?;与传统四探针法的对比突破:在测试效率、样品损伤方面有哪些提升?;;电阻率测试范围界定:标准适用于哪