2025年大学《分子科学与工程》专业题库——分子模拟在晶体生长动力学中的应用

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一、

分子模拟是研究晶体生长动力学的重要手段。请简述分子动力学（MD）和蒙特卡洛（MC）方法在模拟晶体生长过程中的基本原理，并指出它们各自的主要优势和局限性。

二、

在晶体生长过程中，过饱和度是影响生长速率的关键因素之一。请从热力学角度解释过饱和度如何影响晶体表面的吸附和扩散过程，并阐述其对宏观生长速率的影响机制。

三、

表面能是决定晶体生长形貌的重要因素。请解释Wulff构造的基本思想，并说明如何利用Wulff构造预测晶体在特定生长