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氮化铌（NbN）薄膜具有16K的超导转变温度和2.5meV的超导能隙，广

泛应用于超导器件中，是制备约瑟夫森效应器件及微弱光电子探测器件最为常用

的材料之一。由于NbN薄膜与氧化镁（MgO）的晶格常数较为匹配，因此在薄

膜制备时常选用MgO衬底，然而MgO易于潮解而不稳定、硬度高、脆性大，在

减薄方面会面临很大挑战。硅（Si）作为微电子学的重要材料，加工工艺既兼容

又成熟，在太赫兹波段和红外波段