2025年高教社杯全国大学生数学建模竞赛题目

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B题碳化硅外延层厚度的确定

碳化硅作为一种新兴的第三代半导体材料，以其优越的综合性能表现正在受到越来越多

的关注。碳化硅外延层的厚度是外延材料的关键参数之一，对器件性能有重要影响。因此，

制定一套科学、准确、可靠的碳化硅外延层厚度测试标准显得尤为重要。

红外干涉法是外延层厚度测量的无损伤测量方法，其工作原理是，外延层与衬底因掺杂

载流子浓度的不同而有不同的折射率，红外光入射到