(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN223124195U
(45)授权公告日2025.07.18
(21)申请号202421936770.2H05K7/20(2006.01)
(22)申请日2024.08.09
(73)专利权人散裂中子源科学中心
地址523000广东省东莞市松山湖高新技
术产业开发区总部二路2号光大数字
家庭（推广名：光大we谷）一区1栋1号
楼1316号房
专利权人中国科学院高能物理研究所
(72)发明人荣林艳慕振成傅世年
欧阳华甫肖永川万马良王博
谢哲新王禾欣张辉
(74)专利代理机构广东众达律师事务所44431
专利代理师张雪华
(51)Int.Cl.
H01P5/18(2006.01)
权利要求书1页说明书3页附图2页
(54)实用新型名称
一种带状线高功率合成器
(57)摘要
本发明属于微波功率源技术领域，具体涉及
一种带状线高功率合成器的设计与应用；所述的
合成器整体外形呈矩形，包括：8路同轴输入、1路
同轴输出、合成器腔体、聚四氟乙烯支撑柱、基于
带状线的3级T型合成网络；所述的8路同轴输入
在合成器腔体一侧，1路同轴输出在合成器腔体
对应一侧，基于带状线的3级T型合成网络设置在
合成器腔体内部，通过聚四氟乙烯支撑柱支撑连
接；本发明设计的带状线高功率合成器具有高隔
离度、高功率容量、低插损、简化加工工艺和良好
的散热性能等有益效果，为微波功率源领域提供
了一种高效、可靠的功率合成解决方案。
U
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4
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1
3
2
2
N
C
CN223124195U权利要求书1/1页
1.一种带状线高功率合成器，其特征在于：所述的合成器整体外形呈矩形，包括：8路同
轴输入、1路同轴输出、合成器腔体、聚四氟乙烯支撑柱、基于带状线的3级T型合成网络；所
述的8路同轴输入在合成器腔体一侧，1路同轴输出在合成器腔体对应一侧，基于带状线的3
级T型合成网络设置在合成器腔体内部，通过聚四氟乙烯支撑柱支撑连接。
2.根据权利要求1所述的一种带状线高功率合成器，其特征在于：所述的8路同轴输入
的8个输入端口射频信号等幅同相，同轴输入口的内导体插入到T型网络的输入端口。
3.根据权利要求1所述的一种带状线高功率合成器，其特征在于：所述的8合1合成器内
部带状线主要由4个第1级T型网络、2个第2级T型网络，1个第3级T型网络组成。
4.根据权利要求3所述的一种带状线高功率合成器，其特征在于：所述第1级T型网络的
①②两臂为输入信号端，连接同轴输入端的内导体。
5.根据权利要求4所述的一种带状线高功率合成器，其特征在于：所述的①②两臂阻抗
分别为50Ω带状线，这两臂的电长度要求保持一致，长度可根据合成器的结构进行调制。
6.根据权利要求3所述的一种带状线高功率合成器，其特征在于：所述2个第1级T型网
络的合成输出端③号臂，依次分别连接第2级T型网络的①、②两臂；第2级T型网络结构的
①、②号臂分别是50Ω带状线。
7.根据权利要求3所述的一种带状线高功率合成器，其特征在于：所述2个第2级T型网
络的合成输出端③号臂，依次分别连接第3级T型网络的①、②两臂。
8.根据权利要求1所述的一种带状线高功率合成器，其特征在于：所述合成器腔体采用
双层空气板线结构来实现，其上下两层空气板线的连接通过垂直过渡来实现，垂直过渡采
用圆柱形聚四氟乙烯支撑。
9.根据权利要求8所述的