制备工艺对碳化硅镶嵌硅纳米晶结构与电学特性的多维度影响研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学与半导体技术飞速发展的进程中，碳化硅镶嵌硅纳米晶材料凭借其独特的物理性质和卓越的性能，在半导体、光电子及能源存储等多个关键领域展现出极为广阔的应用前景，引发了科学界和产业界的广泛关注与深入研究。

碳化硅（SiC）作为一种重要的宽禁带半导体材料，拥有诸多优异特性。其具有高硬度，莫氏硬度达到9.5，仅次于金刚石，这一特性使其在磨料、磨具和切削工具等领域应用广泛；热稳定性出色，熔点高达约2700摄氏度，在高温环境下仍能保持良好性能，适用于高温炉衬、高温结构陶瓷等领域；化学稳定性极高，对