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应用于逆变电路中MOSFET的驱动与保护的设计与制作

摘要

功率场效应晶体管MOSFET器件相比较之下，具有许多的优势和特点，因此，MOSFET的应用范围更加广泛。同时，它具有的缺点是MOSFET相比之下，短时过载的承受能力不强，这是MOSFET在一些应用中受限的原因。在以下文章中，我们分别对MOSFET器件驱动电路与保护电路的设计器件和相关参数要求进行了分析；并计算了MOSFET驱动器的功耗大小，以更好地提高MOSFET驱动器与功率场效应管MOSFET的对应程度；以设计驱动电路和保护电路为设计目标的目标器件是MOSFETIRF640，在驱动电