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文件名称:CMOS集成电路ESD防护:理论、技术与挑战.docx
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总页数:17 页
更新时间:2025-11-07
总字数:约2.21万字
文档摘要
CMOS集成电路ESD防护:理论、技术与挑战
一、引言
1.1CMOS集成电路概述
CMOS集成电路,即互补金属氧化物半导体集成电路,是一种广泛应用于现代电子系统的关键技术。其工作原理基于互补的p型和n型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。在CMOS电路中,p型MOSFET和n型MOSFET相互配合,实现各种逻辑功能。以CMOS反相器为例,它由一个p型MOSFET和一个n型MOSFET组成,当输入低电平时,n型MOSFET导通,p型MOSFET截止,输出高电平;反之,当输入高电平时,p型MOSFET导通,n型