溶胶凝胶法构筑GaN材料及其团簇结构解析与性能关联研究

一、引言

1.1GaN材料概述

随着现代科技的飞速发展，半导体材料在众多领域中发挥着愈发关键的作用。其中，氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其卓越的性能，逐渐成为研究与应用的焦点。

GaN材料具有一系列独特且优异的物理特性。其宽禁带宽度约为3.4电子伏特（eV），大约是传统硅材料的三倍，这使得GaN能够在更高的电压和温度环境下保持稳定的工作状态。在高温环境中，硅材料的性能会出现明显的衰退，而GaN却能维持良好的电气性能，为其在高温应用场景提供了坚实的基础。

GaN的电子迁移率高达2024cm2/