纳米多孔氮化镓基薄膜：制备工艺、结构特性与多元应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，氮化镓（GaN）凭借其卓越的性能，已然成为了研究的焦点。作为第三代半导体材料的典型代表，氮化镓在室温下拥有3.4eV的宽带隙，具备优良的光电性能、热稳定性以及化学稳定性，在光电子器件、电力电子器件等众多领域展现出了巨大的应用潜力。

纳米多孔氮化镓基薄膜，作为氮化镓材料家族中的新兴成员，更是以其独特的纳米级多孔结构，展现出了一系列优异的性能，为半导体领域的发展注入了新的活力。这种薄膜的纳米多孔结构极大地增加了材料的比表面积，这一特性在光电器件应用中尤为关键。以发光二极管（LE