GaN纳米柱发光特性：从原理、影响因素到应用前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的大家族中，氮化镓（GaN）凭借其出色的特性，如宽禁带（约3.4eV）、高击穿电场（约2×10^6V/cm）、高电子迁移速度（约2.7×10^7cm/s）等，在光电器件、高频电子器件以及功率电子器件等多个领域展现出巨大的应用潜力，成为了第三代半导体材料中的明星成员。随着纳米技术的飞速发展，纳米结构的GaN材料，特别是GaN纳米柱，因其独特的量子限域效应、大的比表面积以及与传统体材料不同的光学和电学性质，受到了科研人员的广泛关注。

从光电器件的发展历程来看，提升发光效率和