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SiCMOSFET

无比较器米勒钳位电路的设计方法

MOSFET或IGBT等功率半导体，在各种电源应用或电力线应用上，常做开关元件使用。近年来加速推广的SiCMOSFET，提升

了开关动作的速度，以至于开关时的电压和电流的变化，器件自身的封装电感，及外围电路布线电感等因素的影响日益凸显。特别

是栅极-源极间电压，器件自身的电压和电流变化时，会发生预期以外的正向浪涌，需要进行各类对策的研究。因此，本Application

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