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文件名称:集成电路铜互连工艺中先进扩散阻挡层:材料、性能与未来趋势.docx
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更新时间:2025-11-08
总字数:约2.61万字
文档摘要

集成电路铜互连工艺中先进扩散阻挡层:材料、性能与未来趋势

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息技术飞速发展的时代,集成电路作为电子设备的核心部件,其性能的提升对于推动整个电子行业的进步起着至关重要的作用。随着摩尔定律的不断演进,集成电路正朝着小型化、高性能、低功耗的方向迅猛发展。在这一发展趋势下,器件的特征尺寸不断缩小,互连线的宽度和间距也越来越小,这使得传统的铝互连材料逐渐难以满足集成电路对低电阻、高可靠性的要求。

铜,因其具有比铝更低的电阻率(铜的电阻率约为1.68μΩ?cm,铝的电阻率约为2.65μΩ?cm)和更好的抗电迁移性能,成为了替代铝的理想互连材料。自1997年