Cu互连技术中薄膜扩散阻挡层：制备工艺与热稳定性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代信息技术飞速发展的浪潮中，集成电路（IC）作为电子设备的核心部件，其性能的提升对于推动整个信息产业的进步起着至关重要的作用。随着集成电路工艺技术持续朝着更小尺寸、更高性能和更低功耗的方向发展，互连线在集成电路中的地位愈发关键，而Cu互连技术应运而生，成为了实现高性能集成电路的关键技术之一。

与传统的Al互连技术相比，Cu互连技术展现出诸多显著优势。从电学性能上看，Cu具有更低的电阻率，其值约为1.7μΩ?cm，而Al的电阻率约为2.8μΩ?cm，这使得Cu互连线能够有效降