1200VSiCMOSFET与SiIGBT短路可靠性的多维剖析与对比研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子领域，功率器件作为实现电能转换与控制的核心部件，其性能的优劣直接影响着整个电力电子系统的效率、可靠性和稳定性。1200VSiCMOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiIGBT（硅绝缘栅双极型晶体管）作为中高压领域的关键功率器件，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、智能电网、轨道交通等众多重要领域。

SiIGBT凭借其高电压、大电流的处理能力以及良好的开关性能，在过去几十年中一直是中高压功率变换领域的主流器件。然而，随着能源危机和环境问题的日益