基本信息
文件名称:碳化硅基底上石墨烯生长机理与界面性质的理论剖析.docx
文件大小:45.75 KB
总页数:32 页
更新时间:2025-11-08
总字数:约4.2万字
文档摘要
碳化硅基底上石墨烯生长机理与界面性质的理论剖析
一、引言
1.1研究背景与意义
在材料科学领域,新型材料的不断涌现为各个行业的发展带来了新的机遇与变革。其中,石墨烯和碳化硅作为两种具有独特性能的材料,受到了广泛的关注与深入的研究。将石墨烯生长在碳化硅上形成的复合材料,不仅结合了两者的优点,还展现出了一些新的特性,为材料科学的发展开辟了新的道路。因此,深入研究石墨烯在碳化硅上的生长机理及界面性质,具有重要的理论和实际意义。
石墨烯,作为一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料,自2004年被英国曼彻斯特大学物理学家安德烈?盖姆和康斯坦丁?诺沃肖洛夫成功从石墨中分