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半导体器件工艺与制造面试题

一、单选题（每题2分，共10题）

1.硅材料在半导体器件制造中主要利用其哪种特性？

A.优良的导电性

B.良好的绝缘性

C.高温稳定性

D.光电转换能力

2.以下哪种工艺主要用于形成半导体器件的栅极？

A.光刻工艺

B.离子注入工艺

C.扩散工艺

D.腐蚀工艺

3.MOSFET器件中，增强型NMOS管在零栅极电压下处于什么状态？

A.导通状态

B.截止状态

C.饱和状态

D.准稳定状态

4.以下哪种材料常用于制造半导体器件的钝化层？

A.硅氮化物（SiN?）

B.氧化硅（SiO?）