基于可调谐半导体激光器吸收光谱TDLAS技术的研究现状文献综述

从1970年开始，美国科学家Hinkley[37]首次报道了高分辨率的TDLAS技术，报道中Hinkley使用波长可调的激光二极管对CO2和SF6气体在10.6μm附近的吸收光谱进行了测量，这为后期TDLAS技术的发展奠定了基础。由于气体对特定的波长光源的吸收强度一般较弱，因此易受环境噪声以及光源稳定性的影响，导致气体吸收信号被淹没在白噪声中，这大大限制了基于TDLAS技术的痕量气体检测系统的检测灵敏度；为解决这一问题，1975年，Ku和Hinkley等[38]使高频调制技术结合TDLAS技术应用，高频调制技术的使用可以有效地减