三维IC封装中硅通孔工艺质量检测与可靠性影响因素的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在电子技术持续进步的大背景下，IC封装技术已然成为集成电路产业迈向高性能、小型化与多功能化进程中至关重要的一环。三维IC封装凭借高度集成、小型化、高性能等显著优势，正逐步成为电子产品发展的关键方向。随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，二维芯片封装面临着信号传输延迟大、功耗高、布线复杂度增加等问题，已难以满足日益增长的高性能需求。三维IC封装技术应运而生，通过实现芯片在垂直方向上的堆叠与互连，有效突破了这些瓶颈。

硅通孔（Through-SiliconVia，TSV）工艺作为三维IC封装的