MOSFET器件性能参数退化的SPICE模型构建与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术领域，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）凭借其独特的结构和卓越的性能，已成为构建各类电子设备的核心器件。从日常使用的智能手机、平板电脑，到工业控制中的电机驱动、电力转换系统，再到通信基站、数据中心等关键基础设施，MOSFET的身影无处不在，其性能的优劣直接关乎电子设备的整体性能、可靠性以及能源效率。

随着电子设备朝着小型化、高性能化和多功能化的方向不断发展，对MOSFET的性能要求也日益严苛。然而，在实际工作过程中，由于受到各种物理效应和工作环境因素的影响，MOSFET