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文件名称:高性能有机场效应晶体管:从设计、制备到性能突破的深度剖析.docx
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总页数:29 页
更新时间:2025-11-11
总字数:约3.7万字
文档摘要

高性能有机场效应晶体管:从设计、制备到性能突破的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息技术飞速发展的时代,电子器件作为信息处理、传输与存储的核心单元,其性能的优劣直接影响着整个电子系统的功能与效率。有机场效应晶体管(OrganicField-EffectTransistors,OFETs)作为一类新兴的电子器件,以有机半导体材料为有源层,在近几十年间吸引了学术界和工业界的广泛关注,成为有机电子学领域的研究热点之一。

与传统的无机场效应晶体管相比,有机场效应晶体管展现出诸多独特优势,这些优势使其在众多领域具有广阔的应用前景。在柔性电子领域,有机场效应晶体管的柔性和可弯曲性使其