6H-SiC单晶激光辐照效应及性能改性的深度剖析与前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，半导体材料在各个领域的应用日益广泛。6H-SiC单晶作为第三代半导体材料的典型代表，凭借其独特的物理性质，如宽带隙（约3.0eV）、高击穿电场强度、高热导率（约4.9W/cm?K）、高速的电子饱和漂移速度以及良好的化学稳定性和抗辐射性能等，在光电子学、高温电子学、抗辐射电子学和高频大功率器件等领域展现出巨大的应用潜力。在光电子领域，可用于制造紫外探测器、发光二极管等器件，满足对高性能光电器件的需求；在高温电子领域，能够承受高温环境，为高温传感器、发动机电子控制系统等提供