基于第一性原理的AlGaN半导体超晶格结构、性能与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体材料作为现代信息技术的基石，在电子学、通信、能源等众多领域发挥着至关重要的作用。随着科技的飞速发展，对半导体材料性能的要求也日益提高，传统的半导体材料逐渐难以满足这些需求。在此背景下，半导体超晶格材料应运而生，它通过人工设计和制备，将不同的半导体材料以原子尺度的厚度交替生长，形成周期性的结构，从而展现出许多独特的物理性质和优异的性能，为半导体技术的发展开辟了新的道路。

AlGaN半导体超晶格作为半导体超晶格家族中的重要成员，近年来受到了广泛的关注和深入的研究。AlGaN材料是由AlN和