探索p型Sb掺杂ZnO纳米棒：制备工艺与光电性能关联研究

一、引言

1.1研究背景与意义

ZnO作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙化合物半导体材料，具有众多优异的特性，在光电器件领域展现出巨大的应用潜力。其室温下禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，远高于其他宽禁带半导体材料，如GaN的激子束缚能仅为25meV。这使得ZnO激子在室温下能够保持稳定，为实现室温或更高温度下高效的激子受激发光提供了可能，在短波长光电器件，如紫蓝光发光二极管（LEDs）和激光器（LDs）等方面具备显著优势，可作为白光的起始材料。

ZnO具有稳定的六角纤锌矿晶体结构，并且呈现出