反应磁控共溅射法制备金属掺杂V?O?薄膜及其性能特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着材料科学与技术的飞速发展，新型功能薄膜材料的研究成为了众多领域的焦点。五氧化二钒（V?O?）薄膜作为一种具有独特物理化学性质的功能材料，在能源、传感器、光电器件等领域展现出了巨大的应用潜力，引起了科研人员的广泛关注。

V?O?薄膜具有典型的半导体性质，其带隙范围为2.3-2.5eV，这一特性使其在透明导电薄膜应用中具有显著优势，能够在保持高透光性的同时提供一定的导电性。此外，V?O?还具有较高的理论比容量，在锂离子电池正极材料方面具有潜在的应用价值，理论比容量可达到约294mAh/