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文件名称:2025《基于可调谐半导体激光器吸收光谱TDLAS技术检测痕量气体的基本原理概述》2000字.docx
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更新时间:2025-11-13
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文档摘要
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基于可调谐半导体激光器吸收光谱TDLAS技术检测痕量气体的基本原理概述
TDLAS技术是基于分子光谱吸收理论和比尔-郎伯定律,当分子吸收能量发生跃迁后,形成分子光谱,不同的分子吸收不同波段的能量进而产生不同的分子光谱。当特定波长的激光经过待测分子时,与待测分子吸收谱线相匹配的激光光强会发生衰减,并且吸收过程遵循比尔-郎伯定律。气体吸收谱线的展宽通常考虑温度和压强两种影响条件,当温度因素导致的谱线展宽占主导因素时,通常选择高斯线型;当压强因素导致的谱线展宽占主导因素时,通常选择洛伦兹线型;当综合考虑温度和压强两种因素时,通常选择福克脱线型。
1.1红外吸收光谱理论
分子是由