场效应管主讲教师 李德路
场效应管的符号学习场效应管遇到的第一个难题就是FET种类太多，符号复杂。为了便于理解最精华的知识，我们将场效应管的符号简化为一个三端器件，如图所示。
场效应管与三极管的相似之处场效应管的栅极G、漏极D和源极S分别可对应三极管的基极B、集电极C和发射极E。对于三极管，控制信号是加载在BE之间；而场效应管是加载在GS之间。三极管的“主电流”为集电极电流IC，场效应管的“主电流”为漏极电流ID。N型三极管（NPN）的主电流是自C流向E，P型（PNP）则反过来由E流向C。N型场效应管（N沟道）的主电流是自D流向S，P型（P沟道）也是反过来。
场效应管与三极管的不同之处：三极管通常等效为流控电流源，即基极电流iB控制集电极电流iC；场效应管（FET）则对应等效为压控电流源，即栅源电压uGS控制漏极电流iD。+-uGSiBiCiD
三极管属于“线性控制”，即控制信号iB与被控信号iC两者之间的关系近似正比（iC=βiB），输出特性曲线是等间距的。而场效应管控制信号uGS与被控制信号iD两者之间的关系不是正比关系而是二次曲线，输出特性曲线间隔逐渐增大。场效应管的输出特性曲线晶体管输出特性曲线
场效应管的转移特性曲线由于场效应管的压控电流特性不是线性的，因此就有了所谓的转移特性曲线来描述两者的关系。为避免脑容量不够，这里我们先只讲N沟道场效应管。如图所示为三种类型的场效应管的转移特性曲线。
无论是哪种FET，特性曲线都是二次曲线的一部分，而且二次曲线的底点均位于横轴上。
结型场效应管的控制电压uGS介于UGS（0ff)和0V之间。当短接GS时，结型FET实际上就是一个最简单省事的恒流源！
耗尽型场效应管的控制电压uGS可正可负，这样就意味着它用于放大电路可以不用直流偏置，即信号电压为0的时候，管子就已经是导通的（对比三极管的ube总需要大于0.7V）。无需直流偏置电路，这将会给电路设计带来极大的便利。通常场效应管构成的放大电路应优先选择使用耗尽型场效应管。
增强型场效应管与普通三极管的“特性”最为接近，同样需要控制电压高过某一个值时才开始导通。在信号放大应用中，这其实是个劣势。增强型场效应管更适合用于开关电路，例如用于斩波电路的开关。
这节课就到这里，下次再见吧！