HfGdON高介电常数栅介质薄膜：制备、性能与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，半导体器件不断朝着小型化、高性能化方向迈进。在这一进程中，栅介质薄膜作为半导体器件中的关键组成部分，其性能优劣对器件的整体性能起着决定性作用。高介电常数栅介质薄膜能够在保持较小物理厚度的同时，提供较高的电容，有效降低器件的漏电流，提高器件的开关速度和集成度，因此在现代集成电路、存储器、传感器等领域具有广泛的应用前景。

HfGdON薄膜作为一种新型的高介电常数栅介质材料，近年来受到了广泛的关注。HfO?具有较高的介电常数（k≈25）、较大的禁带宽度（Eg≈5.68eV）以及