SiCMOS界面氨等离子体处理：原理、工艺与电学特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电力电子技术的迅猛发展，对功率半导体器件的性能提出了越来越高的要求。碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和速度以及宽禁带宽度等卓越特性，成为了制造耐高压、耐高温和高频率大功率电力电子器件的理想选择。基于SiC材料的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（SiCMOS）器件应运而生，在新能源汽车、智能电网、轨道交通、航空航天等众多领域展现出巨大的应用潜力。

在新能源汽车中，SiCMOS器件应用于车载充电器和逆变器，能有效降低能量损耗