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摘要

随着我国超精密加工技术不断发展，在集成电路制造等高精尖制造领域也逐

渐出现较大短板，为了冲破技术封锁，在半导体领域实现自主生产制造高端芯片，

研制国产光刻机已经刻不容缓。极紫外光刻技术（EUV）目前成为光刻机的核心

技术之一，磁浮平面电机对EUV的真空工作环境具有良好的兼容性，因此基于磁

悬浮技术的运动台成为了迫切需要。本文以动圈式长行程磁浮运动台为研究对象，

分析其受力模型、换流方法以及所受的扰动，利用不同方法对扰动进行了补偿与

抑制。

首先，从磁浮平面电机的结构特点出发，确定