超深亚微米CMOS器件GIDL电流特性及可靠性提升策略研究

一、绪论

1.1研究背景与意义

自20世纪60年代CMOS技术起源以来，其在微电子领域的发展可谓日新月异。早期，CMOS技术作为存储器技术崭露头角，凭借低功耗特性，逐渐在与双极型晶体管技术的竞争中占据上风。随着制造工艺的持续进步，CMOS技术迅速拓展至数字逻辑电路领域。20世纪90年代，随着0.5微米工艺的成功实现，CMOS技术正式迈入深亚微米时代，开启了集成度和性能大幅提升的新篇章。进入21世纪，CMOS技术更是朝着更小尺寸不断迈进，90纳米、65纳米、45纳米等先进工艺节点相继问世，在速度