外电场辅助CVD法：ZnO微/纳米线同质P-n结器件的制备与特性深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在光电子领域的蓬勃发展中，新型半导体材料的研究与应用始终是推动技术进步的关键力量。氧化锌（ZnO）作为一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料，凭借其独特的物理性质，在众多光电器件应用中展现出巨大潜力。

ZnO的室温带隙宽度达到3.37eV，激子束缚能高达60meV，远高于室温下的热离化能26meV。这一特性使得ZnO在室温甚至更高温度下，都能有效地实现激子复合发光，为其在短波长发光器件，如蓝光和紫外光发光二极管（LED）中的应用提供了坚实的物理基础。相较于其他宽禁带发光材