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文件名称：陶瓷电容典型失效机理.pdf
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总页数：4 页
更新时间：2025-11-16
总字数：约2.76千字
文档摘要
陶瓷电容典型失效机理
介质击穿是陶瓷电容常见失效原因之一，当施加在陶瓷电容上的
电压超过其额定耐压值时，陶瓷介质内部的电场强度过高，会使介质
中的电子获得足够能量而挣脱束缚，形成导电通道，进而导致电容短
路失效，一般陶瓷电容的耐压值在几十伏到几千伏不等，具体因电容
规格而异。
老化效应也会致使陶瓷电容失效，随着使用时间增长，陶瓷介质
内部的微观结构会发生变化，比如晶界迁移、晶格畸变等，这会引起
电容值逐渐偏离初始值，根据相关研究，在长时间高温环境下，电容
值的变化幅度可能达到初始值的±10%甚至更高。机械应力作用可能引
发陶瓷电容失效，在安装