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文档摘要

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主要公式;x02+Ax0=B（t+?）;习题参考答案;按照表中数据，在920℃下，um，um2/h，将值代入式（）得;2.在某个双极工艺中，为了隔离晶体管，需要生长1μm厚度的场氧化层。由于考虑到杂质扩散和堆垛层错的形成，氧化必须在1050℃下进行。如果工艺是在一个大气压下的湿氧气氛中进行，计算所需的氧化时间。假定抛物型氧化速率系数与氧化气压成正比，分别计算在5个和20个大气压下，氧化所需的时间。;表中列出了（111）硅在总压强为1大气压下氧化动力学的速率常数的参量，对于（100）硅，相应值中所有C2值除以;一个大气压，T=（1050+273）K，k=1.38*10-23,k